Methods for preventing precipitation of etch byproducts during an etch process and/or a subsequent rinse process

WO2010090779 Art A2 12. August 2010

Anmelder: Lam Research 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010090779
Aktenzeichen: EP10738889
Anmeldetag: 5. Januar 2010
Veröffentlichung: 12. August 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302H01L21/306

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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