Method for manufacturing transistor, transistor, and sputtering target

WO2010092810 Art A1 19. August 2010

Anmelder: ULVAC, INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010092810
Aktenzeichen: EP10741090
Anmeldetag: 10. Februar 2010
Veröffentlichung: 19. August 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786C04B35/00C23C14/34H01L21/203H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ULVAC, INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 ULVAC

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.

444 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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