Field effect transistor and method of producing the same

WO2010093051 Art A1 19. August 2010

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010093051
Aktenzeichen: EP10706785
Anmeldetag: 10. Februar 2010
Veröffentlichung: 19. August 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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