Method for fabricating a semiconductor device having a lanthanum-family-based oxide layer

WO2010093567 Art A2 19. August 2010

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010093567
Aktenzeichen: EP10741588
Anmeldetag: 5. Februar 2010
Veröffentlichung: 19. August 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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