Relaxation and transfer of strained material layers
WO2010094371
Art A2
26. August 2010
Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010094371
- Aktenzeichen
- EP10700489
- Anmeldetag
- 11. Januar 2010
- Veröffentlichung
- 26. August 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/20H01L21/762C30B29/38
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
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