Defect examining method and defect examining device

WO2010095342 Art A1 26. August 2010

Anmelder: Hitachi High-Technologies Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010095342
Aktenzeichen: EP10743475
Anmeldetag: 6. Januar 2010
Veröffentlichung: 26. August 2010
Rechtsraum: WO
IPC: G01N21/956

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Hitachi High-Technologies Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi High-Tech Corporation

Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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