Metal oxide semiconductor devices having doped silicon-comprising capping layers and methods of manufacturing the same

WO2010096296 Art A1 26. August 2010

Anmelder: Globalfoundries Inc. 🇰🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010096296
Aktenzeichen: EP10704287
Anmeldetag: 8. Februar 2010
Veröffentlichung: 26. August 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L29/49H01L21/8238H01L29/10H01L29/51

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Globalfoundries Inc.
Land: 🇰🇾 KY

🇰🇾 GlobalFoundries

GlobalFoundries ist ein Halbleiterhersteller, der als Auftragsfertiger (Foundry) Chips für zahlreiche Kunden produziert; die Gesellschaft ist auf den Cayman Islands registriert. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Software. Die Anmeldungen von 2000 bis 2018 betreffen unter anderem Kontaktstrukturen und Fertigungsverfahren für Halbleiterbauelemente.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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