Providing superior electromigration performance and reducing deterioration of sensitive low-k dielectrics in metallization systems of semiconductor devices
WO2010097190
Art A1
2. September 2010
Anmelder: Advanced Micro Devices, Inc., Amd Fab 36 Llimited Liability Company&Co. Kg 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010097190
- Aktenzeichen
- EP10706523
- Anmeldetag
- 22. Februar 2010
- Veröffentlichung
- 2. September 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Advanced Micro Devices, Inc.
Amd Fab 36 Llimited Liability Company&Co. Kg - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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