Transistor, transistor manufacturing method, and manufacturing device thereof

WO2010098101 Art A1 2. September 2010

Anmelder: Ulvac, Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010098101
Aktenzeichen: EP10745986
Anmeldetag: 25. Februar 2010
Veröffentlichung: 2. September 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/28H01L21/31H01L21/336H01L29/423H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Ulvac, Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 ULVAC

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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