Gan-Based High Electron Mobility Transistor Structures

WO2010099065 Art A1 2. September 2010

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010099065
Aktenzeichen: EP10704726
Anmeldetag: 22. Februar 2010
Veröffentlichung: 2. September 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L29/43H01L29/205H01L29/20H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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