Etching composition, in particular for silicon materials, method for characterizing defects on surfaces of such materials and process of treating such surfaces with the etching composition

WO2010099982 Art A1 10. September 2010

Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010099982
Aktenzeichen: EP10708131
Anmeldetag: 8. März 2010
Veröffentlichung: 10. September 2010
Rechtsraum: WO
IPC: C09K13/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies

S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.

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Fachgebiete

Farben, Klebstoffe & Brennstoffe

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