Tunnel magnetic recording element, magnetic memory cell, and magnetic random access memory

WO2010100678 Art A1 10. September 2010

Anmelder: Hitachi, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010100678
Aktenzeichen: EP09841045
Anmeldetag: 6. März 2009
Veröffentlichung: 10. September 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246G11C11/15H01L27/105H01L29/82H01L43/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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