Method for manufacturing semiconductor thin film using substrate irradiated with focused beam, apparatus for manufacturing semiconductor thin film, method for selectively growing semiconductor thin film, and semiconductor element

WO2010100950 Art A1 10. September 2010

Anmelder: Osaka University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010100950
Aktenzeichen: EP10748549
Anmeldetag: 5. März 2010
Veröffentlichung: 10. September 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/04C23C16/34G02B6/13

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Osaka University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Optik & Fototechnik

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