Atomic Layer Deposition Processes
WO2010101859
Art A1
10. September 2010
Anmelder: Praxair Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010101859
- Aktenzeichen
- EP10707406
- Anmeldetag
- 2. März 2010
- Veröffentlichung
- 10. September 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C16/40C23C16/455
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Praxair Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Praxair Technology
US-amerikanisches Unternehmen im Bereich Industriegase, das Verfahren und Technologien zur Gasproduktion entwickelt, heute Teil des Linde-Konzerns.
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