Techniques for forming a contact to a buried diffusion layer in a semiconductor memory device

WO2010102106 Art A2 10. September 2010

Anmelder: Micron Technology, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010102106
Aktenzeichen: EP10749326
Anmeldetag: 4. März 2010
Veröffentlichung: 10. September 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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