Thin film transistor having a barrier layer as a constituting layer and cu-alloy sputtering target used for sputter film formation of the barrier layer

WO2010103587 Art A1 16. September 2010

Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation, ULVAC, Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010103587
Aktenzeichen: EP09841419
Anmeldetag: 22. Oktober 2009
Veröffentlichung: 16. September 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786C22C9/00C22C9/01C23C14/34H01L21/285H01L21/336H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Mitsubishi Materials Corporation
ULVAC, Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Materials

Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.

1.978 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 ULVAC

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.

1.137 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von