Memory device having improved programming operation

WO2010104971 Art A1 16. September 2010

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010104971
Aktenzeichen: EP10751373
Anmeldetag: 10. März 2010
Veröffentlichung: 16. September 2010
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/34G11C16/10G11C16/12G11C16/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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