Integrated Silicon/silicon-Germanium Magneto-Optic Isolator
WO2010107853
Art A2
23. September 2010
Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010107853
- Aktenzeichen
- EP10754023
- Anmeldetag
- 17. März 2010
- Veröffentlichung
- 23. September 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G02B6/12G02F1/09
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Massachusetts Institute of Technology
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Massachusetts Institute of Technology
US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.
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