Nonvolatile semiconductor storage device and method for driving same

WO2010109966 Art A1 30. September 2010

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2010109966
Aktenzeichen
EP10755767
Anmeldetag
10. Februar 2010
Veröffentlichung
30. September 2010
Rechtsraum
WO
IPC
G11C16/06G11C16/02G11C16/04
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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