Method for treating substrate, and process for manufacturing crystalline silicon carbide (sic) substrate

WO2010110123 Art A1 30. September 2010

Anmelder: Canon Anelva Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010110123
Aktenzeichen: EP10755921
Anmeldetag: 16. März 2010
Veröffentlichung: 30. September 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Canon Anelva Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Canon Anelva

Canon Anelva ist ein japanischer Hersteller von Vakuum- und Beschichtungsanlagen für die Halbleiterindustrie und Teil des Canon-Konzerns. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie und Oberflächentechnik, ergänzt um Schaltungstechnik. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2024 ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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