Semiconductor device

WO2010110246 Art A1 30. September 2010

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010110246
Aktenzeichen: EP10756042
Anmeldetag: 23. März 2010
Veröffentlichung: 30. September 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/28H01L21/336H01L29/12H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von