Halbleiterschicht für Photoelektrische Umwandlung, Herstellungsverfahren Dafür, Vorrichtung für Photoelektrische Umwandlung und Solarzelle damit
WO2010110461
Art A1
30. September 2010
Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010110461
- Aktenzeichen
- EP10756257
- Anmeldetag
- 19. März 2010
- Veröffentlichung
- 30. September 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L31/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- FUJIFILM Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fujifilm
Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.
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Vertreten von
Schmitt-Nilson, Gerhard
München, Deutschland
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