Epitaxial methods and structures for reducing surface dislocation density in semiconductor materials
WO2010112540
Art A1
7. Oktober 2010
Anmelder: S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010112540
- Aktenzeichen
- EP10711895
- Anmeldetag
- 31. März 2010
- Veröffentlichung
- 7. Oktober 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/20H01L21/02
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Texier, Christian
Paris, Frankreich
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