Method of producing semiconductor device, and semiconductor device

WO2010113715 Art A1 7. Oktober 2010

Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010113715
Aktenzeichen: EP10758489
Anmeldetag: 24. März 2010
Veröffentlichung: 7. Oktober 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/288H01L21/336H01L29/417H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JX Nippon Mining & Metals Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JX Nippon Mining & Metals

JX Nippon Mining & Metals Corporation ist ein japanisches Unternehmen der Nichteisenmetallindustrie, das Kupfer, Halbleitermaterialien und Metallverarbeitung herstellt, Teil der ENEOS-Gruppe.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von