Gate valve structure and substrate processor equiped with the same

WO2010113891 Art A1 7. Oktober 2010

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010113891
Aktenzeichen: EP10758662
Anmeldetag: 29. März 2010
Veröffentlichung: 7. Oktober 2010
Rechtsraum: WO
IPC: F16K51/02F16K1/24

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Maschinenelemente & Fluidtechnik

Vertreten von