Fabricating and operating a memory array having a multi-level cell region and a single-level cell region
WO2010114682
Art A1
7. Oktober 2010
Anmelder: Sandisk Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010114682
- Aktenzeichen
- EP10712196
- Anmeldetag
- 9. März 2010
- Veröffentlichung
- 7. Oktober 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C11/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sandisk Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
SanDisk
US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.
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