Metal-assisted chemical etching of substrates

WO2010114887 Art A1 7. Oktober 2010

Anmelder: Georgia Tech Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010114887
Aktenzeichen: EP10759338
Anmeldetag: 31. März 2010
Veröffentlichung: 7. Oktober 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Georgia Tech Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Georgia Tech Research Corporation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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