High pressure rf-dc sputtering and methods to improve film uniformity and step-coverage of this process

WO2010115128 Art A2 7. Oktober 2010

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010115128
Aktenzeichen: EP10759494
Anmeldetag: 2. April 2010
Veröffentlichung: 7. Oktober 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/203C23C14/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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