Method for manufacturing a memory element comprising a resistivity-switching nio layer and devices obtained thereof

WO2010115924 Art A1 14. Oktober 2010

Anmelder: IMEC 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010115924
Aktenzeichen: EP10713192
Anmeldetag: 7. April 2010
Veröffentlichung: 14. Oktober 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00H01L27/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IMEC
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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