Method for manufacturing free-standing iii nitride semiconductor substrate, and substrate for growing iii nitride semiconductor layer

WO2010116596 Art A1 14. Oktober 2010

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010116596
Aktenzeichen: EP10761304
Anmeldetag: 2. März 2010
Veröffentlichung: 14. Oktober 2010
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C30B25/02H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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