Method for forming manganese oxide film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

WO2010116889 Art A1 14. Oktober 2010

Anmelder: Tokyo Electron Limited, Tohoku University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010116889
Aktenzeichen: EP10761589
Anmeldetag: 23. März 2010
Veröffentlichung: 14. Oktober 2010
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/18C23C16/40H01L21/28H01L21/285H01L21/314H01L21/3205H01L23/52

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Limited
Tohoku University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

837 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von