Carbon-based films, and methods of forming the same, having dielectric filler material and exhibiting reduced thermal resistance

WO2010117640 Art A2 14. Oktober 2010

Anmelder: SanDisk 3D, LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010117640
Aktenzeichen: EP10719433
Anmeldetag: 24. März 2010
Veröffentlichung: 14. Oktober 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01C7/00H01C17/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk 3D, LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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