Method of selective nitridation

WO2010117703 Art A2 14. Oktober 2010

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010117703
Aktenzeichen: EP10762139
Anmeldetag: 29. März 2010
Veröffentlichung: 14. Oktober 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/76H01L21/8247H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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