Method for low-k dielectric etch with reduced damage

WO2010117964 Art A2 14. Oktober 2010

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010117964
Aktenzeichen: EP10762272
Anmeldetag: 5. April 2010
Veröffentlichung: 14. Oktober 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H05H1/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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