Pulsed plasma deposition for forming microcrystalline silicon layer for solar applications
WO2010120411
Art A2
21. Oktober 2010
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010120411
- Aktenzeichen
- EP10764792
- Anmeldetag
- 9. März 2010
- Veröffentlichung
- 21. Oktober 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L31/042
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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