Methods of depositing antimony-comprising phase change material onto a substrate and methods of forming phase change memory circuitry

WO2010120458 Art A2 21. Oktober 2010

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010120458
Aktenzeichen: EP10764825
Anmeldetag: 24. März 2010
Veröffentlichung: 21. Oktober 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8247H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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