Methods of forming a tellurium alkoxide and methods of forming a mixed halide-alkoxide of tellurium

WO2010120459 Art A2 21. Oktober 2010

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010120459
Aktenzeichen: EP10764826
Anmeldetag: 24. März 2010
Veröffentlichung: 21. Oktober 2010
Rechtsraum: WO
IPC: C01B19/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe

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