Hdd pattern apparatus using laser, e-beam, or focused ion beam

WO2010120725 Art A2 21. Oktober 2010

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010120725
Aktenzeichen: EP10764988
Anmeldetag: 13. April 2010
Veröffentlichung: 21. Oktober 2010
Rechtsraum: WO
IPC: G11B5/84G11B5/82G11B5/73

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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