Method and apparatus for high aspect ratio dielectric etch

WO2010122459 Art A2 28. Oktober 2010

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010122459
Aktenzeichen: EP10766725
Anmeldetag: 15. April 2010
Veröffentlichung: 28. Oktober 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H05H1/34H05H1/36

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von