Solid-state imaging device and method for manufacturing the same

WO2010122657 Art A1 28. Oktober 2010

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010122657
Aktenzeichen: EP09843657
Anmeldetag: 24. April 2009
Veröffentlichung: 28. Oktober 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/146

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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