Method for manufacturing iii nitride crystal substrate

WO2010122933 Art A1 28. Oktober 2010

Anmelder: Tokuyama Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010122933
Aktenzeichen: EP10766990
Anmeldetag: 14. April 2010
Veröffentlichung: 28. Oktober 2010
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C30B25/18H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokuyama Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokuyama

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.

725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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