Method for manufacturing light-emitting device and film formation substrate

WO2010122937 Art A1 28. Oktober 2010

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd., Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010122937
Aktenzeichen: EP10766994
Anmeldetag: 8. April 2010
Veröffentlichung: 28. Oktober 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H05B33/10H01L51/50

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.800 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von