Phase change material for use in a phase change memory device, phase change memory device, and method for adjusting a resistivity of a phase change material for use in a phase change memory device

WO2010125540 Art A2 4. November 2010

Anmelder: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. 🇹🇼

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2010125540
Aktenzeichen
EP10719405
Anmeldetag
29. April 2010
Veröffentlichung
4. November 2010
Rechtsraum
WO
IPC
H01L45/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
Land
🇹🇼 Taiwan
🇹🇼 Taiwan Semiconductor Manufacturing

Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) ist der weltweit größte reine Halbleiter-Auftragsfertiger mit Sitz in Hsinchu, Taiwan. Der weit überwiegende Teil des Patentportfolios betrifft Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Datenspeicherung und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen durchgehend von 2000 bis 2022.

354 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen