Phase change material for use in a phase change memory device, phase change memory device, and method for adjusting a resistivity of a phase change material for use in a phase change memory device
WO2010125540
Art A2
4. November 2010
Anmelder: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. 🇹🇼
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010125540
- Aktenzeichen
- EP10719405
- Anmeldetag
- 29. April 2010
- Veröffentlichung
- 4. November 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L45/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
- Land
- 🇹🇼 Taiwan
🇹🇼
Taiwan Semiconductor Manufacturing
Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) ist der weltweit größte reine Halbleiter-Auftragsfertiger mit Sitz in Hsinchu, Taiwan. Der weit überwiegende Teil des Patentportfolios betrifft Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Datenspeicherung und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen durchgehend von 2000 bis 2022.
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