Tunneling magnetic resistance effect element, and magnetic memory cell and random access memory using the element
WO2010125641
Art A1
4. November 2010
Anmelder: Tohoku University, Hitachi, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010125641
- Aktenzeichen
- EP09843985
- Anmeldetag
- 28. April 2009
- Veröffentlichung
- 4. November 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L43/08H01L21/8246H01L27/105H01L29/82H01L43/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Tohoku University
Hitachi, Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
2.166 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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