Semiconductor device and manufacturing method thereof

WO2010125682 Art A1 4. November 2010

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010125682
Aktenzeichen: EP09844026
Anmeldetag: 30. April 2009
Veröffentlichung: 4. November 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/314H01L23/522

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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