Semiconductor Heat Treatment Member Comprising Sic Film
WO2010125918
Art A1
4. November 2010
Anmelder: Asahi Glass Company, Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010125918
- Aktenzeichen
- EP10769617
- Anmeldetag
- 14. April 2010
- Veröffentlichung
- 4. November 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/205C23C16/44H01L21/02H01L21/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Asahi Glass Company, Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
AGC (Asahi Glass)
Japanischer Glas- und Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, früher als Asahi Glass Company firmierend. AGC entwickelt Flachglas, elektronische Materialien, Spezialchemikalien sowie Glasprodukte für Automobil-, Bau- und Elektronikindustrie.
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