Resistance-variable memory device and a production method therefor

WO2010126232 Art A2 4. November 2010

Anmelder: Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010126232
Aktenzeichen: EP10769877
Anmeldetag: 8. April 2010
Veröffentlichung: 4. November 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University

Die Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University ist die Patentverwertungseinrichtung der südkoreanischen Hanyang University in Seoul. Das Portfolio deckt vor allem Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik und Gesundheit ab, ergänzt um Nachrichtentechnik und Software. Anmeldungen laufen kontinuierlich seit 2002.

414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von