Formation of raised source/drain on a strained thin film implanted with cold and/or molecular carbon

WO2010126793 Art A2 4. November 2010

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010126793
Aktenzeichen: EP10770156
Anmeldetag: 23. April 2010
Veröffentlichung: 4. November 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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