Oxide sintered body sputtering target, method for producing the target, gate insulating film formed from oxide, and method for heat-treating the gate insulating film

WO2010128629 Art A1 11. November 2010

Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010128629
Aktenzeichen: EP10772149
Anmeldetag: 23. April 2010
Veröffentlichung: 11. November 2010
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34C04B35/111C04B35/50H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JX Nippon Mining & Metals Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JX Nippon Mining & Metals

JX Nippon Mining & Metals Corporation ist ein japanisches Unternehmen der Nichteisenmetallindustrie, das Kupfer, Halbleitermaterialien und Metallverarbeitung herstellt, Teil der ENEOS-Gruppe.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von