Hochvolt-Feldeffekttransistor mit Vergrabener Driftstrecke und Entsprechendes Herstellungsverfahren
WO2010130602
Art A1
18. November 2010
Anmelder: Austriamicrosystems AG 🇦🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010130602
- Aktenzeichen
- EP10720144
- Anmeldetag
- 4. Mai 2010
- Veröffentlichung
- 18. November 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L29/08H01L27/092H01L21/336H01L29/10H01L29/423H01L29/40H01L21/74H01L21/266H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Austriamicrosystems AG
- Land
- 🇦🇹 Österreich
🇦🇹
Austriamicrosystems
Austriamicrosystems, heute unter der Marke ams bekannt, ist ein österreichischer Halbleiterhersteller mit Fokus auf Sensorik. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Elektronik- und Schaltungstechnik sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt durch Mess- und Regelungstechnik. Die Anmeldungen stammen aus 2000 bis 2012.
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